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为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响，用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层．用傅里叶红外光谱仪、VanderPauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布．结果表明，两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.01Sb0.96材料中起受主杂质作用．当外延层的组分相同时，材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化，但是随着外延层中掺Ge量的增加，外延层的透射率下降．掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的．77K