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[期刊论文] 作者：黄风义,孔晓明,蒋俊洁,姜楠,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2005
利用国际先进的2μm InGaP/GaAs HBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别...
[期刊论文] 作者：池毓宋,黄风义,张少勇,吴忠洁,
来源：微电子学 年份：2005
文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法.结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取.得到的可缩放Mextram模型的仿...
[期刊论文] 作者：张少勇,黄风义,池毓宋,吴忠洁,姜楠,
来源：电气电子教学学报 年份：2005
根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法.本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺...
[期刊论文] 作者：王晓峰,黄风义,孙国胜,王雷,赵万顺,曾一平,李海鸥,段晓峰,
来源：半导体学报 年份：2005
在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜．Raman测试结果表明，SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低，采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的...
[期刊论文] 作者：王晓峰,黄风义,孙国胜,王雷,赵万顺,曾一平,李海鸥,段晓峰,
来源：半导体学报 年份：2005
在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中...
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