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[会议论文] 作者：王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者：Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,Jianping Li,Hongxin Liu,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者：Feng,Haibo Yin,Hong Chen,Defeng Lin,Jianping Li,Hongxin Liu,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者：Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者：Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Defeng Lin,林德峰,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的......
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