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[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
如今的航空航天与国防环境需要利用增强的雷达性能来检测远距离微弱信号。为了提供测试上述设计所需的干净、精密的信号,MXG采用创新的三环合成器,在1 GHz频率上偏置20 kHz时...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
据IHSiSuppli公司的工业电子市场追踪报告,全球经济萎靡不振以及主要半导体供应商业绩不佳,去年继续消磨工业电子市场的活力,导致总体营业收入下降。但随着需求增强和预计下...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
据美国每日科学网站报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。Accor...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
飞兆半导体——高性能功率和移动半导体解决方案供应商,已荣膺《今日电子(EPC)》主办的第11届年度十佳DC-DC功率产品奖。这是自飞兆半导体将其高压场截止阳极短路沟道IGBT提...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
据报道,德国半导体制造商Azzurro展示了‘l-bin’波长的LED晶圆,该技术可以做到少于3 nm波长一致性生产数值,并在开发中得到1 nm的结果。该公司表示,该破纪录的1 nm成功表明A...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
东芝公司(Corporation)专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器的30V电压功率MOSFET系列产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出25 V FastIRFET创新功率MOSFET系列,适用于先进的电信和网络通讯设备、服务器、显...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
2013年10月7日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司推出了85 V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85 V阴...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punchthrough,NPT)绝缘栅双极晶体管(insulatedbipolargatetransistors,IGBT)产品,备有45 A、70 A和95...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
国际研究暨顾问机构Gartner表示,2013年全球半导体制造设备支出总额预计为346亿美元,较2012年的378亿美元衰退8.5%。Gartner表示,由于移动电话市场趋软,导致28纳米投资缩减,2...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40 V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
拓墣产业研究所近日举行ICT产业大预测研讨会,分析师许汉洲指出,虽然PC出货量仍不如预期,不过在智慧型手机与平板电脑产品带动下,今年半导体产业仍可持续成长4.5%,明年还有4G...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
东芝于201 3年3月19日宣布,将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管TRS12E65C。新产品可用于服务器电源、光...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
硅(Si)功率元件虽然价格便宜,但性能方面的上升潜力比以前要小了。其中,在600V以上耐压下使用的IGBT,其性能的改善和提高量产性开始遭遇极限。在性能方面逐渐触顶的方面是如...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
继2012年取得良好增长之后,今年全球汽车半导体市场将略微减速,主要是因为售后市场和个人导航设备(PND)领域放缓。2013年汽车信息娱乐衍生的总体半导体营业收入将达到66.7亿...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
IDT~公司(Integrated Device Technology,Inc.)日前推出业界首款差异化MEMS振荡器,具有100飞秒(fs)典型相位抖动性能和集成的频率裕量设定能力。IDT高性能振荡器的超低相位...
[期刊论文] 作者：赵佶,,
来源：半导体信息 年份：2013
中国工业和信息化部部长苗圩近日在广州表示,近年来中国的宽带网络建设取得了长足的进展,但是跟国际水平的差距还在拉大,他同时强调,中国目前在核心芯片、操作系统等关键技术...
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