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[学位论文] 作者：黄信,
来源：西安电子科技大学 年份：2015
图像作为重要的信息载体,是人类获取信息的重要来源,被广泛应用于人工智能、模式识别、智能交通等领域。图像品质的高低直接决定了人类能否真实准确地获取场景目标信息。在现...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
VISIC科技公司是一家氮化镓功率半导体器件的研发公司,近日该公司表示最新研发的650V阻断电压的全开关产品具有导通电阻最低可达15mΩ,相关样品和测评板已经送达关键用户手中...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
法国研究者近日称在III-氮化物半导体结构中实现了二维电子气的最佳性能。来自电子、微电子和纳米技术研究院(IEMN)和Thales Research and Technology的研究团队认为基于更高...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
位于美国加利福利亚周尔湾市的Pasternack公司一直专注于生产无源和有源射频、微波和毫米波产品,近日发布了一系列同轴封装射频放大器,单个产品单元定价低于500美元。新推出...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无线移动通信发展打开新局面。AXT一直是世界上...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
日本松下公司近日开发出新款氮化镓二极管,新产品在额定电压1200V条件下,工作电流是传统碳化硅二极管的4倍,且开启电压较低,运行时电压仍然可维持较低水平。新型二极管采用最...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Northrop Grumman公司采用磷化铟高电子迁移率晶体管制成10级放大器,在太赫兹频率下,可获得9dB增益。美国Northrop Grumman称,首次直接展示磷化铟高电子迁移率晶体管在太赫兹...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Notre Dame大学的研究者们称,硅基侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压美国Notre Dame大学的研究者称,在硅基AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
9月8-10号在瑞士日内瓦举行的第17届功率电子和应用会议上,来自加拿大的氮化镓基功率转换半导体研发企业GaN Systems公司首次推出了一款型号为GS66540C的650V、100A高电流氮...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
日本Toyoda Gosei公司近日研发出垂直氮化镓肖特基势垒二极管(SBD),能够在790V反向阻断的条件下,处理50A的正向电流。研究人员称,这款在独立氮化镓衬底上构成垂直肖特基势垒...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Cree下属的科技公司Wolfspeed近期宣布,他们已经成功研发出行业内首款1700V碳化硅MOSFET,新产品采用优化后的表面贴装封装技术,能够应用于商用高压功率逆变系统中的辅助电源...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Custom MMIC公司推出3款全新倍频器,将标准产品的频率范围扩展微波电路研发企业Custom MMIC近日开发了三款倍频器/二倍频器,扩充了其标准产品系列。目前,倍频器产品覆盖输出...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Wolfspeed隶属美国CREE公司麾下,专注于制造碳化硅基氮化镓(GaNon-SiC)高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路。近日发布了两款塑料封装的50V/60W氮化镓HEMT器件,可在较低成...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Advantech Wireless是一家加拿大的卫星宽带通信公司,近期该公司基于第二代氮化镓技术研发成功了针对军用客户的300W/400W的X波段SapphireBlu固态功率放大器和固态功率组件,...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
IQE公司近期宣布已推出商用100mm碳化硅基氮化镓外延圆片,用其生产的新型晶体管器件具有突破性水平的高增益和高功率密度。首次实现单片微波集成电路(MMIC)设计在0-40G范围内...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Wolfspeed公司是美国Cree公司下属的一家专门从事碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片集成电路(MMICs)的公司,近期Wolfspeed与关注安全和航空航天领...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
在10月26-29号在美国奥兰多举办的48届国际微电子研讨会上,Element Six公司的商业发展部经理Thomas Obeloer展示一款针对氮化镓器件中热点的热管理的产品金刚石散热器并将讨...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
目前对于紧凑型高效率的功率转换系统的需求日益增长,电力工程师们也一直在这一领域努力研究。他们考虑采用更为先进的功率器件,例如碳化硅功率MOSFET,能在操作频率上实现提...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Qorvo一直专注于为移动通信、基础设施、航空/国防应用提供核心技术和相关射频解决方案,近期推出了三款新型未匹配氮化镓射频晶体管。产品采用低成本QFN塑料封装技术,可在8-1...
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