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[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上述器件研究小组认为GaN基HEMT的性能碍于穿...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
Hittite Microwave公司推出两款采用TTL/CMOS控制的GaAs MMIC数字衰减器,适用于无线基础结构、测试设备以及DC-3GHz的微波无线电通信。 MHC470LP3型衰减器是一种5比特数字衰...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Aethercomm公司开发出采用SiC技术的一种新的高功率宽带放大器。SiC基放大器的性能比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器的要好。SiC器件的最大结温为225℃,这就可使放大器基板温...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
据2004年第12期《Journal of Lightwave Technology》报导,我国台湾交通大学的研究人员用InGaAsP/InGaP应变补偿多量子阱(MOWs)制造出高性能垂直腔面发射激光器(VCSELs)。他...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
UMC采用其0.13μm RF CMOS工艺技术制造出一种压控振荡器 (VCO),其基本工作频率达到创记录的105 GHz。该芯片是由佛罗里达大学的电气与计算机工程学院的硅微波集成电路和系统...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
东芝美洲电子元器件公司新添了两款用于卫星通信的高线性、高输出功率内匹配Ku波段功率GaAsFET。上述两款中的9 W Toshiba FIM1414-9L型GaAs FET的频率范围为14. 0 GHz-14.5...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Anadigics公司透露他们正在申请一项工艺专利,这项工艺是将异质结双极晶体管(HBTs)和赝配结构高电子迁移率晶体管(pHEMT)集成在单片 InGaPGaAs芯片上。该公司的这项HBT/p...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国创维(Skyworks Solutions Inc)公司宣布已拥有两款新的用于卫星接收机的CMOS开关。这两款型号为SKY13264-304LF和Y13272-340LF的 CMOS开关的集成度更高,易于制造。与现行...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
Kyma Technologies公司改善了其GaN衬底产品质量并增加了GaN衬底类型。该公司最新开发的导电和半绝缘GaN衬底有10 mm×10 mm正方形和直径为3英寸的圆形两种,其位错密度均小于...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
日本的研究人员声称他们将SiC晶体中的位错数量减小了2-3个数量级。这些SiC衬底将推动高功率SiC器件的开发,并降低由SiC器件所制造的电气设备的能耗。生长SiC晶体的一个最大...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
WJ Communication新近推出了一种新的高线性宽带放大器。其型号为SCG002的这种宽带放大器是其高可靠性、低成本增益锁定放大器系列中的最新产品,适用于现有和下一代基站。上...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Silicon Wave公司设计的SIW1722蓝牙单芯片IC满足了使用蓝牙基带CDMA芯片组的CDMA移动电话严格的RF、功率及成本要求,这种采用The SIW1722 Bluetooth single-chip IC d...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Aethrcomm公司推出一种高功率x波段固态功率放大器,其工作频率9. 0-9.6 GHz,25℃下最小饱和输出功率50 W,25℃下1 dB增益压缩点最小输出功率46 dBm,典型小信号增益60 dB,...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国M/A-COM公司进一步拓宽了其表面安装高IP3、高隔离混合微波集成电路(HMIC)高势垒混频器产品,其最新推出的MA4EXP400H-1277T系列用于基站和基础设备。上述系列混频器采用...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
日本NEC公司开发出一种型号为UPD5710TK的新型CMOS单刀双掷(SPDT)开关。这种CMOS开关设计用于发射与接收、分集式天线、波段选择和其它普通RF开关用途。该开关成本低,可以代...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
Sirenza Microdevices公司最近又新添了用于无线和有线电视(CATV)基础构件的产品——高性能宽带放大器,即InGaP HBT达林顿放大器,其偏压电源为+5 V固定电源,从而提高了温度稳...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
TriQuint Semiconductor公司宣布开发出两个系列的十种分立功率 PHEMT器件,用于航天、数字无线电通信和无线基站所需的各种放大器。上述功率PHEMT器件采用了TriQunit公司的0....
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国RF Micro Devices公司推出了一种四波段全球移动通信系统/通用分组无线业务 (GSM/QPRS)蜂窝手机用高集成发射组件(TXM)。这种型号为RF3177的发射组件具有从手机功率放大...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
日本安立公司推出输出功率高、开关速度快、相位跟踪测量能力强的 MG3690B系列合成器。该系列合成器加上毫米波组件,频率覆盖高至325 GHz。由于其性能高,加上其构造简单,使得...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
日本富士通研究所开发出可将GaN HEMT制造成本削减2/3的制造技术。 GaN HEMT可高压工作,其输出和效率优良,有望用作下一代移动电话基站中的高输出放大器。Fujitsu Japan ha...
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