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[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
超宽带(UWB)技术有望用来以高数据率发射数据,同时还保持功率小。因此,业界指望用它来提供消费电子器件之间的无缝连接,以传输象视频这样的高带宽数据。前端、宽带低噪声放大...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
基于GaN和SiC材料的高功率RF半导体开发商们如果继续将目光盯住蜂窝基础构件市场将难有成就。这是根据ABI Research公司分析师们对5W以上和3.8GHz以下工作的RF半导体器件的6...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
瑞萨美洲公司(Renesas Technology America)宣布了一种型号为HA31010的新型高性能双波段SiGe MMIC功率放大器。该放大器耗电小,电路板面积允许实现小型较低功率的双波段/三模...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
Keragis公司设计出6-18GHz频段内典型输出功率为35W的固态微波放大器十二面体组件(正在申请专利),其外形尺寸小、寿命长、噪声系数的改善高达30dB,且群延迟时间短,这些特性使...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
IT业是2006年两家半导体产业公司的一个神话。根据市场调研公司iSuppli2006年最终市场份额排行榜,芯片主要供货商Intel公司的收入下挫,而对手AMD公司的销售额几乎翻一番。“...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
根据国际半导体设备与材料协会硅制造商集团的硅片产业年终分析,2006年全球硅片出货量比2005年增长了20%。2006年硅片收入也比2005年增长了27%,因为300mm晶圆能够做出更好的...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
全球数字TV(DTV)和高清晰度TV(HDTV)继续催生新产品开发,Mi-cronas AG和STMicroelectronics两家公司最近各自宣布了相关产品。Mi-cronas AG推出一种最小的数字TV调制解调器,...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
瑞萨(Renesas)公司宣布开发出一种具有低成本制造能力的极高性能晶体管技术,该技术用于45nm及45nm以下的微处理器和系统级芯片(SoC)器件。这种新技术改进了采用Renesas于2006...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
日本Renesas Technology和PowerChip Semiconductor两家公司宣布成立一个联合风险公司的协议,以专门从事设计先进存储器件。根据这项协议,这两家伙伴公司双双提供工程技术资...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
意法半导体宣布开发出用于低功率、无线及便携消费装置的下一代系统级芯片(SoC)产品所需的45nm CMOS设计平台。该公司采用数只门限晶体管的低功率方案所用的硅面积比用65nm设...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
根据美一台商业协会的一份报告,台湾地区将占2007年全球芯片设备经费的最大比率。这份题为“半导体报导—2006年年度述评”的报告指出,2006年是台湾领先代工产业和DRAM芯片制...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
美国射频微器件公司(RFMD)宣布其客户正在试验一种旨在用于3G多模手机的RF3161四波段全球移动通信系统演进的增强数据速率(EDGE)功率放大器组件。该功放的特点是采用了大信号...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
半导体产业2006年以高调鸣锣收兵。全球半导体与相关设备的销售急增到610亿美元,比2005年上升了19%。同时,集成电路销售达到2090亿美元,比2005年增长了约8.5%。继丰裕的2006...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
TriQuint Semiconductor推出其多功能电路系列中的头三项产品,这些用于点对点无线电通信和卫星通信的GaAs IC的尺寸小、性能高且成本低。上述新产品旨在用于18GHz、23GHz和26...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
三星电子宣布在美国德克萨斯州奥斯汀开设一家世界最大的300mm与非(NAND)闪存晶片厂。这座160万平方英尺的厂房大如九个足球场,它也是美国最大的单一性半导体工厂之一。这家...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
德国Qimonda AG公司宣布按计划在中国苏州工业园扩建其工厂,用于组装和测试存储器IC(后端)。在该项扩建工程中,该公司将建造第二座厂房,使其工厂容积翻一番。新厂房的建设,包...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
日本富士通公司称,他们制造出将能在200℃温度下工作100年的GaNHEMT,为这些器件应用于要求日趋提高的用途开辟了道路。在夏威夷2007年IEEE MTT-S国际微波讨论会上初次介绍的...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
工业、科学及医疗(ISM)应用的固体RF功率通常需要多个晶体管来达到1KW和1KW以上。如磁共振成像系统采用多个功率放大器,产生的峰值RF功率可超过20KW。为了服务这样的应用领域...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
iTerra Communications公司开发出一种封装宽带GaAs MMIC行波放大器,在2~18GHz的宽带宽频率范围内,其饱和RF输出功率电平高。这种GaAs-MMIC行波放大器适用于宽带测试设备、电...
[期刊论文] 作者:权,, 来源:半导体信息 年份:2007
根据市场研究公司Stragegies Unlimited最近发表的报告“GaN基器件衬底:性能比较与市场评估”,蓝—紫激光二极管、紫外LED以及高功率RF器件日益增长的需求将为先进衬底如GaN...
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