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[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
美国Cree公司宣布推出商用GaN MMIC放大器。这两款MMIC集成了Cree公司的GaN RF晶体管和各种其它的电路元件,构成全集成放大器电路,从而比混合放大器的体积小、性能高。许多RF...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
德国VI Systems公司宣布制造出首支单体垂直腔面发射激光器(VCSEL),其通过多模光纤的数据传输速率达到无误差的40Gb/s。此前,该公司CEO曾在今年1月下旬于美国圣琼斯举办的Pho...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
经过香港科技大学的K.Chen及其研究小组的努力,GaN整流管和常断型HEMTs现在可制作在同一芯片上。据K.Chen称,GaN功率电子IC的此项突破将使单芯片制造GaN基开关型功率转换器成...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密度高、工作温度高的优良特性。Gree公司和Tr...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
根据印度半导体协会(ISA)和市场调研公司FrostSullivan(FS)的一份报告,印度半导体工业将仅增长原先预期的一半。ISA和FS发布的一份工业报告指出,印度半导体工业的平均年增长...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
中国半导体工业预期在2009年出现收缩,这是自iSuppli公司开始收集中国半导体市场统计资料以来出现的首次大幅下跌,这也许是中国芯片行业史上的首次。根据iSuppli预测,中国半...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
日本住友金属工业公司(Sumitomo Metal Industries)披露了其生长体SiC的一种新方法,生长速度是常规升华方法的两倍,且缺陷更少。这家日本钢材制造专业公司将其高温材料生产业...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
日亚公司的研究人员已为其LED业界的竞争同行所关注,因为其白光发光器件在20mA时发光效率提高到249lm/W。然而在今年初的Photonics West活动周,所报导的上述LED的发光效率在3...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
罗姆公司正在接近其制造激光电视用的非极性绿光激光二极管的目标。该公司已将其连续波(CW)激光器的峰值发光波长扩大到481nm,比其最终目标还短39nm。日亚公司采用常规极性Ga...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
工程技术人员目前正在迫切等待在一项新的欧洲研究计划指导下制造的首批GaN晶片的结果。这项新的欧洲研究计划可快速启动开发该地区的宽禁带半导体。这项由欧洲太空署赞助860...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
经过纽约州立大学一个研究小组的努力,GaSb基连续波激光二极管的发射波长从3.1μm扩大到3.36μm。这种激光器光谱范围的增大,就可通过原位光谱监测束探测许多有毒气体物质,这...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
计算机巨头IBM公司制造出非常接近当今硅逻辑器件尺寸的InGaAsMOSFET。该公司的一个研究小组今年初描述了160nm栅长的上述晶体管。研究小组的Y.Sun表示,要评估-族逻辑器件,关...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
制作一流可靠绿光激光二极管的材料结构又多了一个有价值的竞争者。日本索菲亚大学的研究人员制作出采用BeZnSeTe有源区的Ⅱ-Ⅵ族异质结构,在光激发下产生548nm的激射。这是...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
加里福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究人员制造出初级m面增强型AlGaN/GaN FETs。这些常断型FET的阈值电压为2V,这就使得该器件将成为要求阈值电压至少3V的开关应用的主要候选器...
[期刊论文] 作者：陈裕群,,
来源：企业家天地 年份：2009
企业文化能激励与支持创新活动,是增强企业凝聚力的保证(减少内耗),是企业可持续发展的动力源泉,决定了企业的发展和未来。地勘单位要建立具有自己特点的企业文化,不是短时间...
[期刊论文] 作者：陈文裕,
来源：涉外税务 年份：2009
一是积极宣传国家陆续出台的扶持企业“走出去”税收优惠政策，引导企业按照国际通行规则开展境外投资业务，促进外向型经济发展；...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
BCP(Brush Ceramic Products Inc.)公司宣布了一种新品氧化铍(BeO),其热导率远高于一般BeO。BeO用作高功率RF与微波功率晶体管管壳的绝缘材料,也用作电子器件如驱动广播发射...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
欧盟各成员国的政府部长们会聚到一起,要求迅速完成一项禁止白炽照明灯的计划。来自27个欧盟成员国负责交通、电信和能源的政治家们与会要求从2010年开始取缔效率十分低下的...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
用氢化物汽相外延(HVPE)方法已成功地制造出稳定的In0.43Ga0.57N材料,从而使得该材料大有希望成为一流绿光LED的制造材料体系。制造高铟含量材料的TDI公司声称,HVPE可提升LED...
[期刊论文] 作者：陈裕充,
来源：中国中西医结合杂志 年份：2009
2009中国中西医结合皮肤性病学术会议于2009年4月16-20日在杭州萧山第一世界大酒店召开.来自全国26个省、自治区、直辖市、解放军系统的近千名代表参加了会议,为历年参会人数...
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