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[期刊论文] 作者：方能新,曾一平,张健,胡兴敬,钱梅,徐志荣,
来源：临床麻醉学杂志 年份：2005
目的比较心肺转流(CPB)前和主动脉开放后10 min时瓣膜置换术患者肺静脉(PV)和主动脉窦(AS)中P-选择素(CD62P)、白细胞介素-8(IL-8)和白细胞介素-10(IL-10)血浆水平变化.方法1...
[期刊论文] 作者：钱梅,方能新,曾一平,张健,胡兴敬,徐志荣,
来源：安徽医科大学学报 年份：2005
目的探讨米力农和硝酸甘油对心肺转流心脏手术患者血浆中P-选择素(CD62P)、白细胞介素-8(IL-8)和白细胞介素-10(IL-10)水平的不同影响.方法 24例择期行心肺转流(CPB)下心瓣膜...
[期刊论文] 作者：黄振,于斌,赵国忠,张存林,崔利杰,曾一平,,
来源：激光与红外 年份：2009
研究了5种小孔径光电导天线的太赫兹发射特性，并且对它们所发射的太赫兹波进行了对比，为研制高效率的太赫兹波发射源提供了参考依据。利用太赫兹时域光谱技术测量了光电导天线......
[期刊论文] 作者：徐惠君,曾一平,赵洪进,夏森定,徐金良,
来源：棉纺织技术 年份：2001
0 前言 分梳辊是转杯纺、摩擦纺、涡流纺、静电纺等新型纺纱设备中的关键件，它是将喂入半制品 (纤维 条)进行开松、梳理、排杂，使连续的纤维条尽量分离成平行伸直的单纤维......
[期刊论文] 作者：吴巨,金鹏,吕小晶,王占国,曾一平,王宝强,
来源：微纳电子技术 年份：2004
综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究.介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形...
[期刊论文] 作者：邹继军,常本康,杨智,高频,乔建良,曾一平,
来源：物理学报 年份：2004
利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定...
[期刊论文] 作者：崔军朋，段垚，王晓峰，曾一平，CuiJunpeng，DuanYao，WangXiaofeng，ZengYiping,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平,,
来源：微电子学 年份：2012
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe...
[期刊论文] 作者：杨沁清,高俊华,曾一平,孔梅影,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这...
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,卫微,王红梅,孔梅影,
来源：传感器技术 年份：1998
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,王红梅,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中，具有广阔的应......
The performance enhancement in organic light-emitting diode using a semicrystalline composite for ho
[期刊论文] 作者：曹峻松,关敏,曹国华,曾一平,李晋闽,秦大山,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
A semicrystalline composite,3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) doped N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine (NPB),has been fabricated an...
Organic light emitting diodes using magnesium doped organic acceptor as electron injection layer and
[期刊论文] 作者：曹国华,秦大山,关敏,曹峻松,曾一平,李晋闽,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
Organic light emitting diodes employing magnesium doped electron acceptor 3, 4, 9, 10 perylenetetracarboxylic dianhydride (Mg : PTCDA) as electron injection lay...
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1997
在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质......
[期刊论文] 作者：曾伟南,余秋萍,刘俊利,曾一平,周宗科,
来源：中国继续医学教育 年份：2022
目的 针对骨科临床教学中结合3D可视化技术的多元化教学的实用价值和效果加以探讨.方法 选择2019年1—9月期间在我院骨科实习的86名临床医学学生作为研究对象,通过随机数字表法随机分为两组,其中43名学生作为对照组(采用传统教学模式),另外43名学生作为研究组(......
[期刊论文] 作者：仇志军, 桂永胜, 崔利杰, 曾一平, 黄志明, 疏小舟,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对...
[期刊论文] 作者：马平,魏同波,段瑞飞,王军喜,李晋闽,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最...
[期刊论文] 作者：赵玲慧,张连,王晓东,路红喜,王军喜,曾一平,,
来源：光子学报 年份：2013
对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置...
[期刊论文] 作者：孙国胜,高欣,张永兴,王雷,赵万顺,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2004
为了获得高质量4H-SiC外延材料，研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统，在偏晶向的4H-SiC：Si(0001)晶面衬底上，利用“台阶控制生长”技术进行了4H-SiC的同质外延生长，典...
[期刊论文] 作者：张杨,曾一平,马龙,王保强,朱战平,王良臣,杨富华,
来源：半导体学报 年份：2007
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰...
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