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[期刊论文] 作者：张益,黄永箴,吴荣汉,
来源：物理学报 年份：1998
采用一种合理的噪声模拟方法，用速率方程对垂直腔面发射激光器的噪声特性进行了数值分析，在单模情况下计算了器件的自发辐射因子、输出功率、注入电流、阈值电流等参数与相对强......
[期刊论文] 作者：陈志标,陈弘达,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：1997
对于从实验中观察到的GaAs／GaAlAs多量子讲非对称法布里一哨罗腔调制器中电致折射率变化引起的模式蓝移现象，从理论上予以讨论．利用等效光程方法分析了电致折射引起的模式的移动......
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,李照银,
来源：中国激光 年份：1986
采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。...
[期刊论文] 作者：梁琨,杨晓红,杜云,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：2003
采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器.对谐振腔增强型光电探测器的空间角...
[期刊论文] 作者：梁琨,杨晓红,杜云,吴荣汉,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2003
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：潘钟,吴荣汉,高洪海,王启明,,
来源：光子学报 年份：1996
本文研究了增益波导垂直腔面发射激光器的横向及纵向模式特性。采用二维延伸抛物型复折射率波导结构从理论上分析了增益波导垂直腔面发射激光器中模式的横向电场分布、模式间...
[期刊论文] 作者：梁琨,杨晓红,杜云,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：2003
采用MBE生长In0 .3 Ga0 .7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料 ,制备出工作在10 60nm及 1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器 .对谐振腔增强型光电探测器的...
[期刊论文] 作者：佟存柱,牛智川,韩勤,吴荣汉,
来源：物理学报 年份：2004
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧...
[期刊论文] 作者：王莉,张以谟,吴荣汉,余金中,,
来源：激光与红外 年份：1999
文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标....
[期刊论文] 作者：李联合，张伟，潘钟，林耀望，吴荣汉,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,石志文,吴荣汉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．主要制备工艺为：旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻......
[期刊论文] 作者：熊飞克,高文智,吴荣汉,王启明,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对......
[期刊论文] 作者：牛智川,周增圻,潘钟,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1999
本文介绍了一种可以实用的侧墙式ＧａＡｓ量子线及其列阵结构．沿〔０１－１〕方向腐蚀条形的（３１１）Ａ衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成．用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为１μｍ、纵......
[期刊论文] 作者：牛智川,周增圻,韩勤,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1998
本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生......
[期刊论文] 作者：陈弘达,陈志标,杜云,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2000
The investigation on G)s/AlG)s multiple quantum well Self Electro-optic Effec t Device (SEED) arrays for flip|chip bonding optoelectronic smart pixels has be en...
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,石志文,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2001
制备了一种以三层聚合物为波导材料的 Mach- Zehnder型电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .主要制备工艺为 :旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反...
[期刊论文] 作者：毛陆虹,郭维廉,陈弘达,吴荣汉,
来源：通信学报 年份：2001
给出一种量子阱半导体激光器 (QWLD)小信号等效电路模型 ,可以作为含有QWLD系统计算机辅助设计的模型。模型包括QWLD的高速调制特性和噪声 ,对QWLD的调制特性和噪声进行了模拟 ,并对比了已发表的模拟和实验结果。......
[期刊论文] 作者：高季林,吴荣汉,李照银,高淑芬,
来源：半导体学报 年份：1985
采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光...
[期刊论文] 作者：张益,潘钟,杜云,黄永箴,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1999
结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了...
[期刊论文] 作者：陈志标,高文智,陈弘达,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1996
本文分析了非对称法布里－伯罗腔（ＡＳＦＰ）调制特性，得出了反射率为零的条件．设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件，测量了它们的电调制反射谱，理论与实验比较符合．In this pape......
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