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[期刊论文] 作者：江德生,刘大欣,张耀辉,段海龙,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1992
我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电...
[期刊论文] 作者：刘大欣,江德生,韩志勇,段海龙,吴荣汉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The photocurrent (PC) spectroscopy of the GaAs/AlAs and GaAs/ AlGaAs superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsi...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,邓晖,杜云,唐君,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2001
对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VC...
[期刊论文] 作者：李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子...
Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular
[期刊论文] 作者：李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2000
During the process of molecular beam epitaxy employing a DC plasma as N source, the effects of the growth temperature, growth rate and As 4 pressure on the opt...
[期刊论文] 作者：应冉沂,应志春,陈廷杰,石志文,吴荣汉,
来源：现代科学仪器 年份：2003
为非线性聚合物电光材料及调制器项目,研究开发了电晕极化智能系统.系统对使用的商品化电源、温度控制器作了相应的改造,研制了接口电路,用四次多项式校正输入/输出信号的非...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,杜云,唐君,杨晓红,吴荣汉,
来源：光电子·激光 年份：2002
对垂直腔面发射激光器(VCSEL)及由此制成的谐振增强型(RCE)光电探测器进行分析研究.激光器的Ith＝3 mA、ηd＝15 %、λp＝839 nm和Δλ1/2＝0.3 nm;作为探测器,光电流谱峰值响应在839...
[期刊论文] 作者：杨晓红,梁琨,韩勤,牛智川,杜云,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：2004
提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,...
[期刊论文] 作者：张石勇,徐应强,任正伟,牛智川,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2005
从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键...
[期刊论文] 作者：唐君,陈弘达,梁琨,杜云,杨晓红,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2005
通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,...
[期刊论文] 作者：陈弘达,毛陆虹,邓晖,唐君,杜云,吴荣汉,,
来源：中国集成电路 年份：2003
一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,杜云,唐君,杨晓红,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高...
[期刊论文] 作者：陈弘达，陈志标，杜云，吴荣汉，CHENHong-da，CHENZhi-biao，DUYun，WURong-han,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：石志文,应志春,陈廷杰,应冉沂,吴荣汉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
研制了计算机程序控制的电晕极化系统,系统由 586计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成,实现了电晕极化实验自动化.此实验系统使用方便、灵活、...
[期刊论文] 作者：张益潘,钟杜云,陈志标,郑联喜,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通过模拟计算得到这些部分的厚度......
[期刊论文] 作者：陈弘达,郭维廉,吴荣汉,陈志标,高文智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件（SEED）,光源为骨子阱半导体激光...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,杜云,唐君,杨晓红,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2002
采用相同生长结构的 MOCVD外延片 ,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵 ,发射及接收波长相同 ,由谐振腔模式决定 .采用双氧化电流限制结构 ,优化串联电阻...
[期刊论文] 作者：林世鸣,高洪海,张春辉,吴荣汉,庄岩,王玉田,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计......
[期刊论文] 作者：梁晓甘,江德生,边历峰,潘钟,李联合,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现...
[期刊论文] 作者：梁晓甘,江德生,边历峰,潘钟,李联合,吴荣汉,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
Photoluminescence (PL) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy are measured in a range of temperature...
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