搜索筛选:
搜索耗时0.9315秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 20 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：于永芹,,
来源：山东大学学报(哲学社会科学版) 年份：2001
我国《票据法》首次将英美法特有的“对价”概念引入基本法 ,是立法技术上的一大进步 ,但在对价制度的构成、法律后果等方面尚待进一步明确和完善。我国票据法的对价制度应侧...
[期刊论文] 作者：于永芹,
来源：山东审判 年份：1998
票据瑕疵是由于票据当事人或其他人进行了这些行为致使票据权利和义务关系的实现受到了一定的影响。它不同于票据形式上的欠缺。票据形式上的欠缺是指票据在形式上不完...
[期刊论文] 作者：于永芹,
来源：烟台大学学报：哲学社会科学版 年份：2001
票据法发展到今天,已经成为国际上统一程度最高的法律.我国票据法在票据基础关系、票据的使用范围、票据对价制度、票据的转让方式、票据涂销以及空白票据效力问题等方面,存...
[期刊论文] 作者：于永芹,
来源：法制与社会发展 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：于永芹,吕国华,
来源：政法论丛 年份：1992
实行经济体制改革以来，随着社会主义法制的不断健全，我国的税收立法也得到了空前发展，已形成了较完善的税收法规体系。但是，我国的税收立法工作也存在着一些问题，如何总结我国建国......
[期刊论文] 作者：于永芹,吕国华,
来源：山东法学 年份：1992
【正】 一、问题的提出改革开放以来,我国的税源日益宽阔,但纳税人偷、漏、欠税行为,尤其是偷税行为也愈加突出,偷税案件数量及数额均呈上升趋势。按照我国现行税收法律的规...
[期刊论文] 作者：于永芹, 李遐桢,,
来源：烟台大学学报(哲学社会科学版) 年份：2002
我国票据法对利益返还请求权制度的规定过于原则且有不周全之处。利益返还请求权的性质应为不当得利 ,其请求权人应包含空白背书的持票人和故意为背书涂销行为的持票人 ,其利...
[期刊论文] 作者：于永芹, 孙玉芝,,
来源：当代法学 年份：2002
所谓票据质押,是指作为债务人的持票人为担保债务的履行而在票据上为设质背书①并将该票据交付于债权人占有,债权人如届期得不到清偿得通过对设质的票据行使票据权利而实...
[期刊论文] 作者：王卿璞,张德恒,于永芹,黄柏标,
来源：半导体情报 年份：2001
回顾了最近几年对 Zn O薄膜材料发光特性的研究进展 ,介绍了用不同方法制备 Zn O薄膜的自发辐射和受激辐射发光特性。...
[期刊论文] 作者：陈文澜,黄柏标,齐云,于永芹,周海龙,尉吉勇,潘教青,
来源：激光与光电子学进展 年份：2002
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景...
[期刊论文] 作者：张兆春,黄柏标,于永芹,崔得良,秦晓燕,蒋民华,
来源：Rare Metals 年份：2000
ZnO films with low resistivity and high transmittance in the visible optical region were deposited on GaAs and glass substrates by MOCVD at atmospheric pressure...
[期刊论文] 作者：于永芹, 黄柏标, 周海龙, 魏吉勇, 潘教青, 岳金顺, 李树,
来源：光电子·激光 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：周海龙,黄柏标,于永芹,尉吉勇,潘教青,齐云,陈文澜,张晓阳,
来源：光电子．激光 年份：2002
用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低...
[期刊论文] 作者：于永芹,黄柏标,周海龙,魏吉勇,潘教青,岳金顺,李树强,陈文,
来源：光电子．激光 年份：2002
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱InGaAs/AlGaAs,并且对其进行了光致发光(PL)谱、双晶X射线衍射(DXRD)谱和电化学C-V等的测试.然后以InGaAs/A...
[期刊论文] 作者：尉吉勇,黄柏标,于永芹,周海龙,岳金顺,王笃祥,潘教青,秦晓,
来源：光电子．激光 年份：2002
设计并利用MOCVD在(311)GaAs衬底上生长了12.5个周期的Al0.6Ga0.4As/AlAs黄绿光分布式Bragg反射(DBR)体系,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布,反射率90 %以上,波长不均...
[期刊论文] 作者：尉吉勇,黄伯标,于永芹,周海龙,潘教青,张晓阳,秦晓燕,陈文兰,齐云,
来源：光电子·激光 年份：2002
生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL...
[期刊论文] 作者：潘教青,刘俊成,崔德良,张兆春,秦晓燕,尉吉勇,于永芹,黄柏标,蒋民华,
来源：山东大学学报(自然科学版) 年份：2000
以硫代乙酰胺、硝酸锌、桑色素为原料用液相沉淀法制备了ZnS纳米晶 /桑色素复合材料 .样品的测试结果表明 :ZnS表面原子能与桑色素形成较牢固的化学键 ,生成稳定的复合材料 ....
[期刊论文] 作者：尉吉勇,黄柏标,于永芹,周海龙,岳金顺,王笃祥,潘教青,秦晓燕,张晓阳,徐现刚,
来源：光电子·激光 年份：2002
设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率...
[期刊论文] 作者：周海龙,黄柏标,于永芹,尉吉勇,潘教青,齐云,陈文澜,张晓阳,秦晓燕,任忠祥,李树强,
来源：光电子·激光 年份：2002
用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分析 ,确定了在生长结构中 Mg掺杂从有源层到...
[期刊论文] 作者：于永芹,黄柏标,周海龙,魏吉勇,潘教青,岳金顺,李树强,陈文斓,齐云,秦晓燕,张晓阳,王笃祥,任忠祥,
来源：光电子·激光 年份：2002
采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然...
相关搜索：
