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[期刊论文] 作者：刘旭焱,崔明月,海涛,王爱华,蒋华龙,
来源：人工晶体学报 年份：2013
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅（SiGe—on—insulator，SGOI）材料，然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积（UHVCVD）法外延了厚度为15nm的超薄全局应变硅单晶薄膜，使用电子......
[期刊论文] 作者：刘旭焱,宋三年,刘卫丽,宋志棠,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2013
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体...
[期刊论文] 作者：王爱华,刘旭焱,卢成,张萍,宋金璠,姬晓旭,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
采用电化学和湿化学法结合的两步化学法制备了Co掺杂的ZnO薄膜。X射线衍射（xRD）结果表明Co掺杂没有改变ZnO薄膜的六角纤锌矿结构。扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）结果表明薄膜是由Zn......
[期刊论文] 作者：刘旭焱,王爱华,蒋华龙,濮春英,姚文华,崔本亮,,
来源：南阳师范学院学报 年份：2013
应变Si是一种能在未来保持SiCMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料．本文结合SOI技术，利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底，并使用超高真空化学气相沉积在...
[期刊论文] 作者：刘旭焱,崔明月,刘红钊,李根全,秦怡,鲁道邦,,
来源：南阳师范学院学报 年份：2013
结合“一线工程师”新型人才培养模式，针对“集成电路设计”课程实践性和更新性强的特点，构建以EDA技术和集成电路设计方法为主，结合最新科研文献介绍前沿发展为辅的新型教学实......
[期刊论文] 作者：王爱华,宋海珍,刘旭焱,张萍,宋金璠,姬晓旭,
来源：人工晶体学报 年份：2013
在ITO衬底上电沉积了Co掺杂ZnO薄膜。x射线粉末衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）结果表明Co掺杂并没有改变ZnO的六角纤锌矿结构，但可以在一定程度上改变晶体的形貌。室温光致发光光......
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