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[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：发光学报 年份：1998
利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜地不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究，通过对薄膜的透射率和慢反射率的测量研究了薄 致密性，Ｘ射线衍射表明衬......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：发光学报 年份：1998
首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ：ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光，电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ＾３＋离子的Ｇ４→＾３Ｈ６、Ｇ４→＾３Ｈ４、＾３Ｆ３→＾３Ｈ６和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的电子跃迁发光。通过对ＣａＳ：ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：无机材料学报 年份：1998
本文研究了S＋H2，S；H2S＋H2；H2S，S＋H2S和S＋H2S十H2等不同气氛下用CaCO3硫化法制备的CaS粉末中的CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛和反应方法的关系．X射线衍射分析表明，CaSO4和CaO杂质相......
[期刊论文] 作者：钟国柱,孙甲明,
来源：发光快报 年份：1995
本文介绍了交流薄膜电致发光高清晰度平板电视和显示器的发展历史，根据ＡＣＴＦＥＬ器件的特殊性能，分析了其应用于高清晰度平板电视的优势，综述了ＡＣＴＦＥＬ平板电视的彩色化进展和主要方案。......
[期刊论文] 作者：孙甲明,张吉英,
来源：发光快报 年份：1993
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[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：发光学报 年份：1996
本文人交流薄膜电致发光显示屏的稳定性与可靠性的角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的显示，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：发光学报 年份：2000
设计并用磁控溅射方法制备了非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构，以高纯多晶Ｓｉ为靶材，当以Ａｒ＋Ｏ２为溅射气氛时，得到ＳｉＯ２膜，仅以Ａｒ为气氛时，得到Ｓｉ膜。重复地开和关Ｏ２气，便交替地得到ＳｉＯ２和Ｓｉ膜。衬底在靶前往返平移，改变平移的速......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：发光学报 年份：1998
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得蓝色的交流薄膜电致发光，通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关。......
[期刊论文] 作者：张吉英,孙甲明,
来源：发光学报 年份：1993
用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长ＺｎＳｅ－ＺｎＳ超晶格。用化学腐蚀方法在ＧａＡｓ衬底上开一个通光窗口，使该窗上仅剩有１～１．８μｍ厚的生长层。室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ超晶格的吸收光谱。研......
[期刊论文] 作者：孙甲明,申德振,
来源：发光学报 年份：1994
本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件......
[期刊论文] 作者：钟国柱,孙甲明,
来源：光电子技术 年份：1996
从交流薄膜电致发光显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮以及驱动电路对屏的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的转变条......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,
来源：发光学报 年份：2000
设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气...
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,李长华,
来源：发光学报 年份：1998
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关．......
[期刊论文] 作者：张新霞,孙甲明,张俊杰,杨阳,刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1．5-3nm的Si／SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点，获得了Si／S...
[期刊论文] 作者：刘海旭,孙甲明,孟凡杰,侯琼琼,
来源：发光学报 年份：2011
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3＋离子掺杂的电致发光器件...
[期刊论文] 作者：孙甲明, 张俊杰, 杨阳, 张新霞, 刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
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[期刊论文] 作者：孙甲明,张吉英,申德振,范希武,
来源：发光学报 年份：1993
自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰...
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮,
来源：发光学报 年份：1998
首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮,
来源：发光学报 年份：1998
利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表......
[期刊论文] 作者：张俊杰,孙甲明,杨阳,张新霞,刘海旭,W.Skorupa,M,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜，在此基础上制备出ITO／SiON／Si-rich SiO2：Er／Si MOS结构电致发光器件，比较研究了硅...
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