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[期刊论文] 作者：苏延芬,刘英坤,邓建国,胡顺欣,冯彬,董四华,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿（SEGR）和单粒子烧毁（SEB）的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯彬,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。...
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