搜索筛选:
搜索耗时1.0013秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈道裕,
来源：体育文化导刊 年份：2003
我国已步入老年社会,目前大约有1亿3千多万60岁以上的老年人.老年人健康水平不仅仅是自己的事情,也是一个社会问题.如何使老年人健康长寿,是整个社会关注的问题.目前全国各地...
[期刊论文] 作者：陈福裕,
来源：经济管理文摘 年份：2003
...
[期刊论文] 作者：陈裕明,
来源：中学文科：初中语政外 年份：2003
...
[期刊论文] 作者：陈裕清,
来源：天津化工 年份：2003
以巯基乙酸为原料,用硫酸提供酸性条件,采用精馏脱水酯化工艺,提高了酯化收率5%～8%,反应时间缩短了10 h....
[期刊论文] 作者：陈恩裕,,
来源：广西文学 年份：2003
李主任戴着帽子很神气的,其实是因为他有一头高低不平的癞子,但人一有地位,癞头也就成了一道风景线,看了让人敬畏.李主任办公室里还养了一只猴子,有饭局时就带它出去遛一遛,...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
美国密西西比州的SiC晶体管、二极管及外延片产品开发商—Semi South研究所接到一份267万美元的合同,开发用于高功率雷达系统用的SiC RF晶体管关键制造工艺。这份合同由美国...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)推出其新系列全球定位业务(GPS)器件,该新系列的首只产品是 SE4100型接收机集成电路,这种接收机的耗电量为基准级,体积小,成本低,电池工...
[期刊论文] 作者：陈孟裕,
来源：求是 年份：2003
宁波检验检疫局是国家质量监督检验检疫总局的直属检验检疫局之一,承担着宁波地区及浙江省内外从宁波口岸出入境的人员、货物和交通工具的检验检疫、鉴定和监管工作。随着宁...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
美国 Velocium 公司开发出光纤通信系统用40Gb/s 最高传输速率调制器驱动 IC。该驱动器设计带宽50GHz,用于40Gb/s 高速光传输系统和通信测试设备中。这种型号为 AUH232的调...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
2003年9月23日南京高新半导体公司在江北高新技术产业开发区动工建设,总投资达3.6亿美元,是第一个投资南京的半导体芯片项目,预计2005年建成投产后,产品将有一半供应国外市...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Cree 公司在其先前开发的1A 和4A 整流管基础上又推出一种新的600V、10A 的碳化硅(SiC)肖特基整流管。这种名为 Zero Recovery 的整流管用于高频电源和功率因素校正中的功率...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司声称这种高阻率Si可取代传统的RF衬底,并可将...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
RF子系统供货商Endwave公司与安全掩蔽系统秘密安装开发商SafeView公司签约,开发并制造毫米波收发机组件。迄今所完成的大多数毫米波成像开发工作都是穿云破雾成像的军事研...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
东芝公司在日本京都VLSI研讨会上宣布了两项新工艺开发,一项是用于65nm CMOS的一种新的高介电常数K栅介质HfSiON,另一项是用绝缘体硅上硅(SOI)晶片制造的世界上首只隐埋动态...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
加拿大国家研究院(NRC)的“分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN”获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Z—Communications 公司宣布开发出型号为 V586 ME08的压控振荡器(VCO)。这种压控振荡器的带宽宽,为850MHz,无噪频谱信号的相噪性能为-97dBc/Hz。开发这种新器件是为了满足...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业化CMOS ICs相集成。这项技术是基于一种低温...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Hittite Microwave公司推出一族覆盖频率为:DC～10.0 GHz的四个InGaP HBT增益组合(Gain Block)MMIC放大器。该放大器芯片可被用作级联50 Ω增益级,或用来驱动输出功率高至+17...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为“空隙辅助分离”新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延...
相关搜索：
