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[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
SiC业界又多了一家参与者。这家名为“SiC体系”(SiC Systems)的美国公司表示,今年晚些时候其6英寸3C-SiC晶片将进入衬底市场。这家组建于2007年7月的SiC Systems公司称,由于...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
德国研究人员制造出首支室温下连续波(CW)激发的电泵辅GaSb垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该器件可有效地辨别吸收区域为2.3mm的气体,这是最常见的InP VCSEL难以做到的。虽然这...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
Engalco公司近期发表的“化合物半导体MMIC报告”指出,全球化合物半导体MMIC市场将从2006年的26亿美元稳健地增长到2014年的51亿美元。这份报告研究了GaAs、GaN、InP、InGaP...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
在2008年6月于美国亚特兰大举办的MTT-S展览会上,英飞凌公司首次展出了用于全球移动通信系统/全球移动通信系统增强数据速率(GSM/EDGE)的频段为920~960MHz和1805~1880MHz的LD...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
从蜂窝基础构件原设备制造商到军界的许多终端用户将会继续购买各种类型的分立RF/微波二极管与晶体管。与MMIC或RFIC不同,制造混合电路的分立RF器件,有时为批量出货的组件从...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
LAM Research公司宣布推出其首台设计用于三维(3D)IC硅通孔刻蚀用途的300mm230Syndion刻蚀设备。该公司声称他们是首家出台硅通孔刻蚀用300mm刻蚀设备的供应厂家。这台Syndio...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
液晶聚合物差不多在10年前就被用于微波产业,此后,许多公司、大学和国家级研究所将这种材料用于其设计产品。就要求挠性电子线路或共形电子线路的应用而言,液晶聚合物是光驱...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
日本电能工业公司中心研究所的研究人员称,他们将高品质4H-SiC的最快生长速率从仅100μm/小时提升到250μm/小时。上述SiC生长速率的提升势必加速工作电压在10kV以上的双极器...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
法国圣母大学的一个研究小组称,自对准InAlP热氧化物可避免亚微米长栅电极GaAs MOSFET中所见的泄漏问题。采用这种方法,P.Fay及其同事制作了一个GaAs沟道MOSFET,并测得其截止...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
国际微电子学中心(IMEC)报导在采用铝(Hf)基高K介质和钽钛(TaC)金属栅来提高平面CMOS性能旨在用于32nm CMOS节点方面取得了显著的进展。在栅介质和金属栅之间加上一层薄的介...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
宽带电讯业务和无线局域网(WLAN)越来越依靠毫米波工作,基于GaAs和InP MMIC的毫米波部件是上述宽带系统的心脏。United Monolithic Semi-conductors公司采用GaAs基肖特基二极...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
与其它量子结构激光器相比,半导体量子点(QD)激光器的增益更高、阈值电流密度更小、热稳定性更高,原因是QD体系具有类原子态密度。尤其在生长高晶格失配异质外延体系如In(Ga)...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
GaN晶体管与其竞争对手GaAs晶体管比较,其性能大有改进。GaNHEMT特别适用于F类放大器,因为其fmax比基本工作频率高。这有助于产生波成形所必须的更高次谐波。加里福尼亚大学...
[期刊论文] 作者：陈裕宇,,
来源：建材与装饰(下旬刊) 年份：2008
本文结合工程实例,对预应力锚索施工技术与质量控制等问题进行了研究分析。In this paper, with engineering examples, prestressed anchor cable construction technolog...
[期刊论文] 作者：陈夏裕,,
来源：质量探索 年份：2008
现代企业中存在一种普遍现象即一些前期表现不错的企业,仅仅过了三五年之后,其产品在市场上就明显失去竞争力.甚至销声匿迹。为什么这些当时在管理、技术和市场上明显占优势...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
美国能源部为其第4期固体照明技术的13项深入核心研究项目和产品开发项目拨出专款。其中被选中的国家能源技术研究所负责开发到2025年的普通照明用固体照明技术。该项目包括5...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
市场研究公司In-Stat的报告称,亚洲半导体生产快速增长,而且这种趋势将继续至少数年。2006—2011年亚洲半导体产能将以10.8%的平均年增长率增长。According to In-Stat, a...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
康柏(Kopin)公司为了从其6英寸GaAs晶片制造厂获取更大的价值,正在将其规模扩大到两个目前高分布性的化合物半导体领域,该公司正在其汤顿厂开发MOCVD生长HEMT的制造工艺,同时...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
信息网(Information Network)总裁Catellano最近指出,过去几年中他们业已发现,因制造晶体电池的多晶硅材料短缺而开始进入采用薄膜技术的太阳能电池市场的势头正在溃退。同时...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2008
太阳能电池制造商Emcore和Spectrolab正致力于转用更大锗片制造电池,以满足所预期的集聚光伏(CP)产业的增长需求。据隶属于波音公司的Spectrolab的CPV产品技术领导G.Kingsey...
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