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[学位论文] 作者：刘庭芝,
来源：南昌大学 年份：2006
ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.6-3.8ev，在光电方面有很好的应用。国内对用化学水浴法制备ZnS薄膜一直没有重视，很少有单位研究。该法的优势在于工艺简......
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