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[学位论文] 作者：史进,,
来源：清华大学 年份：2001
本论文主要介绍的是基于SOI技术的SiGe异质结MOS器件。 与体Si器件相比, 采用SiGe材料的异质结器件已经在许多方面显示出了强大的优势:譬如更大的载流子迁移率，更大的跨导，更强...
[学位论文] 作者：史进,
来源： 年份：2002
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