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[学位论文] 作者：谷文萍,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)等器件成为航...
[学位论文] 作者：谷文萍,
来源：湖南医科大学 中南大学湘雅医学院 中南大学 年份：1995
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[学位论文] 作者：谷文萍,
来源：湖南医科大学 中南大学湘雅医学院 中南大学 年份：1998
以前的研究显示HSP70基因和调亡相关基因可能参与迟发性神经元损伤,该研究将在确定脑缺血再灌损伤时HSP70基因和凋亡相关基因Bcl-2、Bax、p53等表达变化的基础上,进一步研究...
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