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[学位论文] 作者：YANJU YU,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2005
随着CMOS器件尺寸的成比例缩小，作为存储介质的栅氧层的厚度也在不断的减小，栅漏电成为低功耗和便携用非易失性存储器和CMOS逻辑电路所面临的严峻问题。当栅氧层的厚度减小到3纳米以下时，无论从栅氧层的电学特性还是从其可靠性的角度来看，都出现一些新的现象。例如，......
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