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[会议论文] 作者：Junqi Liu,Jianyan Chen,Shenqiang Zhai,Fengqi Liu,Jinchuan Zhang,Lijun Wang,Zhanguo Wang,刘俊岐,陈剑燕,翟慎强,刘峰奇,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
表面等离子体在中远红外范围具有特殊的性能。利用周期性的金属光栅和二维孔阵列结构的表面等离子效应有利于将中远红外光场限制在金属-半导体界面，从而，增强光的发射和吸......
[会议论文] 作者：Junqi Liu,刘俊岐,Jianyan Chen,陈剑燕,Shenqiang Zhai,翟慎强,Fengqi Liu,刘峰奇,Jinchuan Zhang,张锦川,Lijun Wang,王利军,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
表面等离子体在中远红外范围具有特殊的性能。利用周期性的金属光栅和二维孔阵列结构的表面等离子效应有利于将中远红外光场限制在金属-半导体界面，从而，增强光的发射和吸收。本文介绍了表面等离子体增强结构在量子级联激光器和量子级联探测器研究方面的应用，给出......
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,Cuimei Wang,Lijuan Jiang,Defeng Lin,He Kang,肖红领,王翠梅,姜丽娟,林德峰,康贺,王晓亮,Xiaoliang Wang,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现...
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,王晓亮,Xiaoliang Wang,Cuimei Wang,王翠梅,Lijuan Jiang,姜丽娟,Defeng Lin,林德峰,He Kang,康贺,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果，包括基于AlGaN/GaN异质结的电力......
[会议论文] 作者：Xiaoliang Wang,Hongling Xiao,肖红领,Hong Chen,陈竑,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Guangdi Shen,沈光地,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背景载流子,提高电阻率。研究发现,降低反应室压......
[会议论文] 作者：Wan,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Haibo Yin,Hong Chen,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
逆E类功放的工作状态可以用一系列方程来描述。本文推导出了在占空比为50％时，逆E类功放在非最优条件下，即只满足零电流关断(ZCS)条件时的描述设计的方程。给出的结果可以用......
[会议论文] 作者：Ding,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Hong Chen,Haobo Yin,Lijuan Jiang,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓...
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过一维Poisson-Schrōdinger自洽求解，计算了AlGaN/AlN/AlGaN/GaN异质结导带结构和电子气的分布。研究了AlGaN渐变沟道层对能带结构和电子气分布的影响，并对不同条件下电子在不同子带上的分布进行了计算与分析。从计算结果可以看出增大AlGaN渐变层的A1组分......
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈弘,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制能力。研究了该结构的能带和电......
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Hong Chen,陈竑,Haobo Yin,殷海波,Lijuan Jiang,姜丽娟,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下的结构质量退化,从而能够......
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
逆E类功放的工作状态可以用一系列方程来描述。本文推导出了在占空比为50％时，逆E类功放在非最优条件下，即只满足零电流关断(ZCS)条件时的描述设计的方程。给出的结果可以用来设计工作在非最优条件的下的逆E类功放。文章还给出了工作在非最优情况下的逆E类功放的设......
[会议论文] 作者：Xiao,Cuimei Wang,Jianping Li,Hongxin Liu,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计...
[会议论文] 作者：Cuimei Wang,王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者：Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,Jianping Li,Hongxin Liu,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：肖红领,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者：Jiang,Chun Feng,Haibo Yin,Hong Chen,Defeng Lin,Jianping Li,Hongxin Liu,Xiaoliang Wang,王晓亮,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者：Kang,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者：Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Defeng Lin,林德峰,Jianping Li,李建平,刘宏新,Hongxin Liu,王占国,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的......
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