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[会议论文] 作者：吴瑜光,
来源：全国核技术应用战略讨论会 年份：1989
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[会议论文] 作者：吴瑜光,张通和,
来源：第六届全国固体缺陷会议 年份：1994
用高能沟道背散射分析技术对高能Ｐ注入Ｓｉ、高能Ｐ和低能Ｇｅ注入Ｓｉ和高能Ｓｉ＋Ｐ注入ＩｎＰ的辐射损伤分布和退火晶格恢复过程进行了分析。...
[会议论文] 作者：张通和;吴瑜光;,
来源：'2000国际表面工程与防腐蚀技术研讨会 年份：2000
利用金属离子与碳离子双注入可在金属表面形成陶恣化的复合层，取得了抗腐蚀和抗磨损优良特性。 研究了注入剂量和束流密度对这种复合层结构的影响，X射线分析结果表明，双注入可形......
[会议论文] 作者：吴瑜光,王广甫,
来源：2000国际表面工程与防腐蚀技术研讨会 年份：2000
采用金属离子束磁过滤技术对引出金属离子束中大颗粒离子进行过滤后，再在金属表面、硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积，可获得特性优异的沉积金属膜、超硬膜（类金刚石，CN膜）、陶瓷膜(TN，Tc等)。电子显微镜观察表明，大颗粒已被过滤，表面结构致密。由于先进行离......
[会议论文] 作者：吴瑜光[1]王广甫[2],
来源：'2000国际表面工程与防腐蚀技术研讨会 年份：2000
采用金属离子束磁过滤技术对引出金属离子束中大颗粒离子进行过滤后，再在金属表面、硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积，可获得特性优异的沉积金属膜、超硬膜（类金刚石......
[会议论文] 作者：田人和,王广甫,吴瑜光,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
用磁过滤弧法在单硅、熔凝石英以及硼硅玻璃衬底上生长了ｔａ－Ｃ膜。用椭偏仪、ＸＰＳ谱技术、以及Ｒａｍａｎ光谱技术对不同靶偏压条件下生长的ｔａ－Ｃ膜膜进行了研究。对于硅单晶衬底上生长的ｔａ－Ｃ膜，靶偏压在－１００伏......
[会议论文] 作者：汪新福,吴瑜光,孙兆祥,
来源：全国第三届环境地球化学与健康学术讨论会 年份：1987
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[会议论文] 作者：吴正龙,王平,张通和,吴瑜光,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
XPS和硬度分析测试表明:利用MEVVA离子注入机在PET表面注入或沉积碳(C),表面形成了类金刚石薄膜.根据ClsXPS谱直接计算出了sp3的含量.与衬底PET相比,表面薄膜硬度提高了1个量...
[会议论文] 作者：王广甫,田人和,吴瑜光,张孝吉,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP键含量最高，可达80℅以上。...
[会议论文] 作者：张通和;张荟星;梁宏;张孝吉;吴瑜光;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
在该文中研究人员给出了MEVVA离子注入材料改性研究中的特殊物理问题和应用方面的最新结果。包括注入离子在固体材料中的射程分布理论研究；强流金属离子注入金属间化合物生成...
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