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[会议论文] 作者：曹国华,关敏,李林森,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,...
[会议论文] 作者：李弋洋,李成基,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工...
[会议论文] 作者：赵杰,刘超,崔利杰,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅速下降。T(Zncl2)等于140℃......
[会议论文] 作者：刘超;孙莉莉;李建明;徐嘉东;曾一平;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面...
[会议论文] 作者：关敏,李林森,曹国华,李弋洋,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/A...
[会议论文] 作者：刘兴昉;李晋闽;孙国胜;吴海雷;闫果果;王雷;赵万顺;董林;郑柳;曾一平;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
使用国产低压化学气相沉积设备(LPCVD)在小偏角(朝方向偏4°)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。通过优化外延工艺,我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长...
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