【摘 要】
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采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面形貌和磁学性能进行了初步分析。结果表明上述掺杂稀土金属元素的GaN基样品在室温下均表现出铁磁性能,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有任何第二相出现。这为探索和制备新型的GaN基高Tc稀磁半导体材料提供了新途径。
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