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[会议论文] 作者：唐杜,贺朝会,雷鸣,李永宏,熊涔,张晋新,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
随着半导体器件尺寸的减小,离子入射产生的电离径迹尺寸可以覆盖两个甚至数个存储单元,从而引起单粒子效应的电荷沉积和收集过程.本文通过解析计算,认为入射离子电离产生的次...
[会议论文] 作者：刘书焕,熊涔,李永宏,李达,郭晓强,林东升,陈伟,张伟,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益...
[会议论文] 作者：刘书焕,李达,熊涔,李永宏,郭晓强,林东升,陈伟,张伟,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益损伤系数与器件注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电......
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