【摘 要】
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本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益损伤系数与器件注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化,但器件其它电参数如特征截止频率fT、交流增益
【机 构】
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西安交通大学 核科学与技术学院, 西安 710049 西北核技术研究所西安 710613
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益损伤系数与器件注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化,但器件其它电参数如特征截止频率fT、交流增益|H21|及结电容(CCBO)与辐照前相比未出现显著退化.模拟分析了SiGe HBT参数退化机理.
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