搜索筛选:
搜索耗时0.8367秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：于波,李述峰,
来源：2010年中国心电学论坛 年份：2010
本文首先介绍了室性心律失常的分类，其次介绍了室性心律失常的药物、导管消融治疗，然后分析了导管消融术的原理，分析了导管消融的可能适用范围，导管消融成功的关键是靶点标测及标......
[会议论文] 作者：陈世龙,李述兵,
来源：中国电力规划设计协会供用电设计分会2010技术交流会 年份：2010
为满足变电站防洪防涝的要求,站址标高往往大于周围地面,形成了边坡.传统的毛石面层护坡、混凝土面层护坡和新兴的悬臂式挡土墙护坡均有各自优缺点,分别就三种支护形式的经济...
[会议论文] 作者：张思倩, 李述军, 郝玉琳, 杨锐,,
来源： 年份：2010
研究不同缺口半径和应力比对Ti-24Nb-4Zr-8Sn合金室温高周疲劳性能的影响。结果表明:缺口的存在明显降低合金的疲劳强度,缺口半径和应力比的变化对合金的组织及缺口敏感性影...
[会议论文] 作者：林若慧,吴克刚,李述日,柴向华,
来源：“食品加工与安全”学术研讨会暨2010年广东省食品学会年会 年份：2010
应用饱和水溶液法制备β-CD-百里香酚包合物。表征结果可知:扫描电镜(SEM)照片从晶体形态上表明了包合物形成有别于β-CD及其水合物氢键型晶格的结构;综合热分析(SAT)包合物中环糊精疏水内腔存在的高能水的消失及红外光谱分析(FTIR)中百里香酚的酚羟基包含于主......
[会议论文] 作者：张康,李述体,卢太平,尹以安,郑树文,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究，通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究，发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖关系。GaN晶体质量随AIN缓冲层晶体质量改善面改善。通过优化生长条件，生长出了(002)晶面半蜂宽为477弧秒的GaN薄膜。......
[会议论文] 作者：尹以安, 毛明华, 张保平, 刘宝林, 李述体,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议论文集 年份：2010
...
[会议论文] 作者：曹健兴,李述体,范广涵,章勇,尹以安,郑树文,梅霆,苏军,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的G......
[会议论文] 作者：王玺涵[1]李述军[1]贾明途[1]郝玉琳[1]杨锐[1]郭正晓[2],
来源：第十四届全国钛及钛合金学术交流会 年份：2010
采用添加造孔剂的粉末冶金方法制备高强度低模量大块多孔医用Ti-24Nb-4Zr-8Sn(质量分数，％，简称Ti2448)合金。采用扫描电镜(SEM)、压缩试验和弹性模量仪对其形貌特征、力学性能进...
[会议论文] 作者：周天明,李述体,范广涵,孙慧卿,周昕妹,董海平,王立辉,张康,卢太平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型......
相关搜索：
