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[会议论文] 作者：叶志镇,潘新花,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与...
[会议论文] 作者：陈向阳,潘新花,陈巍,叶志镇,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，因具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势，吸引了众多研究者的关注。沿非极性方向异质外延生长的ZnO基合金薄膜，由于薄膜和衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配，通常会在薄膜内引入各向异性应力。......
[会议论文] 作者：徐晨霄,陈巍,潘新花,叶志镇,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.然而,通常情况下ZnO沿极性c轴方向择优生长.为避免上述弊端,对非极性a面ZnO基单晶薄膜的制...
[会议论文] 作者：徐晨霄,潘新花,陈珊珊,叶志镇,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.目前的器件大多外延在Al2O3或Si等异质衬底上.Al2O3衬底和ZnO之间存在高达18％的晶格失配和29％的热失配.......
[会议论文] 作者：叶志镇;潘新花;卢洋藩;陈凌翔;陈巍;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着科技的发展,固体照明和平板显示都具有越来越大的市场产值.然而,作为生产过程中的重要结构,无论是固体照明技术中的芯片结构(InGaN),或是平板显示技术中的透明电极(I...
[会议论文] 作者：叶志镇,潘新花,黄靖云,吕建国,陈凌翔,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
在所有宽禁带半导体中,ZnO由于其3.37 eV的禁带宽度以及较大的激子束缚能在光电领域受到了广泛关注.研究者们尝试了多种技术来提高ZnO基LED的发光效率,例如：ZnO同质外延、p型掺杂、能带工程、多量子阱(MQWs)、非极性ZnO薄膜、高质量Zn1-xMgxO和ZnO/Zn1-xMgxO多量......
[会议论文] 作者：吴科伟,丁萍,卢洋藩,潘新花,赵炳辉,叶志镇,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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