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氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，因具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势，吸引了众多研究者的关注。沿非极性方向异质外延生长的ZnO基合金薄膜，由于薄膜和衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配，通常会在薄膜内引入各向异性应力。
各向异性应力对非极性a面MgZnO薄膜偏振度的影响
【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，因具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势，吸引了众多研究者的关注。沿非极性方向异质外延生长的ZnO基合金薄膜，由于薄膜和衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配，通常会在薄膜内引入各向异性应力。
【机 构】
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浙江大学 材料科学与工程学院 硅材料国家重点实验室 唐仲英传感材料及应用研究中心
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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