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[会议论文] 作者：薛舫时;,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
由能带混合量子阱和掺杂接口构成的纳米控制极对有源层中的电场结构和电子谷间转移过程产生的显著的控制效应。它使耿氏器件中的强场畴渡越模式改变成新的电场弛豫振荡模式从...
[会议论文] 作者：薛舫时,
来源：中国电子学会电子学科归国学者学术会议 年份：1991
该文从半导体电子所受的近程势和远程势的相互作用出发阐述了电子态在坐标空间和动量空间的特征。在此基础上提出了研究半导体中的杂质电子态的多能谷模型，对于Ⅲ－Ｖ族化合物的ＤＸ中......
[会议论文] 作者：薛舫时;,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间...
[会议论文] 作者：薛舫时,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截......
[会议论文] 作者：任春江,薛舫时,陈辰,陈堂胜,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工...
[会议论文] 作者：焦刚,陈堂胜,薛舫时,李拂晓,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的纯化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz、V=30V时输出功率28.93dBm,输出功......
[会议论文] 作者：韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连...
[会议论文] 作者：陈堂胜,焦刚,薛舫时,曹春海,李拂晓,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截...
[会议论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8......
[会议论文] 作者：韩春林,高建峰,薛舫时,陈辰,张杨,曾一平,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同...
[会议论文] 作者：韩春林,张杨,曾一平,高建峰,薛舫时,陈辰,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料......
[会议论文] 作者：任春江;李忠辉;焦刚;钟世昌;董逊;薛舫时;陈辰;陈堂胜;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化...
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