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[会议论文] 作者：马创新,陈小荷,
来源：2015年第六届全国知识组织与知识链接学术交流会 年份：2015
文章分析了注疏文献的传统知识结构和知识单元，设计了基于本体和XML的知识表示方案。按照此方案，构建了训诂学初始本体，以形式化方式表示训诂学领域中的概念及其相互关系；然......
[会议论文] 作者：郝小鹏,王宝义,马创新,魏龙,
来源：第十四届全国分子光谱学学术会议 年份：2006
研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R-O2/SiH4)的SiOx薄膜及其真空退火处理后的发光性能.结果表明,当R在0.6＜R＜1.3范围内均出现了350～600nm宽的...
[会议论文] 作者：王琳,郑秀华,王宝义,马创新,牛海燕,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
该文应用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了不同气氛（Ａｉｒ、Ａｒ、Ｈ〈，２〉、Ｎ〈，２〉、Ｏ〈，２〉）对于３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉与１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉缺陷结构和浓度的影响。结果表明：由于氧分压不同，不同气氛中处理的样品得到的正电子湮没寿命及相对强度不同，而不同的寿命及强度反映了捕获正电子的缺陷类型和数量的不同......
[会议论文] 作者：郝小鹏,王宝义,李道武,马创新,魏龙,
来源：第十届固体薄膜会议 年份：2006
利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOx 薄膜，研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃，400℃，600℃，900℃和1100℃真空退火后的发光性能。利用AFM 表征了材料的表面形貌，材料的......
[会议论文] 作者：刘键,岳勇,马创新,王保义,魏龙,王辉耀,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
该文用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明：随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大。长寿命（正电子素）成份较少。扫描电子显......
[会议论文] 作者：郝小鹏,周春兰,马创新,王宝义,魏龙,魏强,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
利用慢正电子束流技术研究了电子束蒸发方法制备的铝镜在模拟空间辐照条件下的反射性能与辐照缺陷的关系.通过比较不同辐照剂量和辐照能量下的材料缺陷研究,得出在空间环境下...
[会议论文] 作者：刘实,刘炳东,马爱华,王隆保,施立群,马创新,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
本文研究了经过氦离子注入处理的四种氢化物膜材在真空退火时的氦释放特性.ERDA分析表明:在低于250℃退火时,四种材料中4He的扩散与释放不明显;400℃退火后,四种材料中的4He...
[会议论文] 作者：魏龙,王宝义,于润升,马创新,周春兰,张天保,
来源：第八届全国正电子谱学会议 年份：2002
常规正电子湮天技术包括测量湮没寿命和多普勒展宽,本文研究北京Nα-慢正电子束流装置及新型慢化体的实验研制....
[会议论文] 作者：魏龙,王宝义,于润升,马创新,周春兰,张天保,
来源：第八届全国正电子谱学会议 年份：2002
常规正电子湮天技术包括测量湮没寿命和多普勒展宽,本文研究北京Nα-慢正电子束流装置及新型慢化体的实验研制....
[会议论文] 作者：周春兰,马创新,郝小鹏,章志明,王宝义,魏龙,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
利用慢正电子束流技术对SiO2/Si体系的研究已经有大量的文献报道,北京22Na慢正电子束流装置在安装调试结束后,为了检验系统的工作性能,对该体系进行了多普勒展宽测量.实验中...
[会议论文] 作者：张辉, 王宝义, 张仁刚, 曹兴忠, 张哲, 周春兰, 马创新,,
来源：第九届全国正电子谱学会议论文集 年份：2005
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[会议论文] 作者：李道武,章志明,王宝义,马创新,魏龙,张天保,白立新,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
本文介绍一种从光电倍增管打拿极引出快信号的电路.分析了信号的产生机理,研究了它的定时性能.使用两支PhilipsXP2020Q光电倍增管,与BaF2闪烁体组成时间谱仪探头,从D9打拿极...
[会议论文] 作者：王琳[1]郑秀华[1]王宝义[2]马创新[2]牛海燕[2],
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
该文应用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了不同气氛（Ａｉｒ、Ａｒ、Ｈ〈，２〉、Ｎ〈，２〉、Ｏ〈，２〉）对于３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉与１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉缺陷结构和浓度的影响。结果表明：由于氧分压不同，不同气氛中处理的样品得到的正电......
[会议论文] 作者：张辉,王宝义,张仁刚,曹兴忠,张哲,周春兰,马创新,魏龙,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度(Eg=0.95±0.15eV)和较高光吸收系数(当入射光波长λ＜900nm时,吸收系数α＞6×105cm-1)的半导体材料,可以制作极薄的太阳能薄膜电池.作为一种...
[会议论文] 作者：郝小鹏[1]王宝义[2]李道武[2]马创新[2]魏龙[2],
来源：第十届固体薄膜会议 年份：2006
利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOx 薄膜，研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃，400℃，600℃，900℃和1100℃真空退火后的发光性能。利用AFM 表征了材料的表面形貌，材料的......
[会议论文] 作者：魏龙,王宝义,马创新,张天保,王三益,徐昌华,漆宗能,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
采用正电子湮没对添加ACR增韧粒子的PVC共混材料进行了研究。结果表明，随ACR比例的上升，PVC结构中氯原子的强电负性受到削弱，PVC主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增...
[会议论文] 作者：马创新,王宝义,魏龙,王天民,阎逢元,李飞,周惠娣,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
该文采用正电子湮没寿命谱方法对聚四氟乙烯(PTFE)以及它的复合材料微动摩擦后自由体积缺陷的变化规律进行了系统研究，结果表明微动摩擦造成了聚四氟乙烯及其复合材料内部平均...
[会议论文] 作者：王宝义,马创新,魏龙,王天民,阎逢元,李飞,周惠娣,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：潘梦霄,曹兴忠,孙建忠,李养贤,王宝义,马创新,周春兰,魏龙,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的VO薄膜,并经过退火得到VO薄膜.XRD的结果表明,在氧分压增大时VO薄膜沿c轴垂直方向取向,(001)面平行于衬底生长,并在退...
[会议论文] 作者：王耘波,郭冬云,于军,高俊雄,周春兰,马创新,王宝义,魏龙,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
采用Sol-Gel工艺在p-Si衬底上制备Bi4Ti3O12薄膜,利用慢正电子束测量了不同退火温度处理的Bi4Ti3O12薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系,研究退火温度对Bi4Ti3O12薄膜中缺陷...
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