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[会议论文] 作者：王小荷,黄玉文,耿增建,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理，进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究，研制出了加固样品，并通过地面模拟试验源的辐照试验，对样品进行了单粒子效应敏感度测......
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