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[报纸论文] 作者:任启,, 来源:山东师范大学 年份:2001
世界各国经济发展过程中的一个带有普遍性的问题就是区域差异问题。在地理区位、自然条件、历史基础等因素作用的基础上,由经济主体追求资本增值所决定,导致区域经济发展水平与......
[报纸论文] 作者:龚奇, 来源:机械职业教育 年份:2001
随着工业生产中"机、电、仪、液"一体化的高新技术设备的不断使用,对于中专机电设备安装与维修专业的学生,在理论知识特别是实践能力和创新能力方面提出了更高的要求.几年来,...
[报纸论文] 作者:王玉,, 来源:化学教学 年份:1992
在高中化学练习题中,常遇到一定体积的NO与CO2的混和气体(或NO2与CO2的混和气体)通过足量的(Na)2O2后,体积缩小到另一体积,求混和气体中NO与CO2各多少体积的有关问题(如:将NO...
[报纸论文] 作者:贾凹, 来源:中国矿业报 年份:2000
[报纸论文] 作者:华亭,, 来源:内燃机车 年份:2000
[报纸论文] 作者:天绪,, 来源:西安电子科技大学 年份:1999
本文对集成电路制造过程中的缺陷空间分布模型和IC的容错结构及其成品率做了系统地理论研究。主要研究结果如下: 根据缺陷在圆片上的位置首先给出了每个缺陷的模糊度,然后利......
[报纸论文] 作者:文光,, 来源:鸡西大学学报 年份:2001
本文对氢氧化亚铁沉淀氧化问题进行了阐述,并对其还原剂使用条件进行了解释,并偿试用热力学原理探讨氧化还原反应进行的可行性,特别是利用Fe-H2O(H2S)体系部分Φ-pH图进行了不...
[报纸论文] 作者:振国,, 来源:离子交换与吸附 年份:1999
研究了ZrO2微粉自水中对羧甲基纤维素钠(CMC)和甲基纤维素(MC)的吸附作用及对ZrO2水悬浮作稳定性的影响.结果表明:(1)CMC的吸附等温线为Langmuir型,CMC可能以较为舒展的方式单层吸附于......
[报纸论文] 作者:慧声, 来源:北京科技报 年份:2000
[报纸论文] 作者:开鹏, 韩松,, 来源:石油化工 年份:1999
重整C9芳烃主要来源于炼厂重整装置二甲苯塔底油,其组成相对简单,含有大量的偏三甲苯、甲乙苯、均三甲苯和连三甲苯等,是发展精细化工的宝贵资源,具有很高的附加值。我国重整C9芳烃的......
[报纸论文] 作者:红,白柯, 来源:中国经营报 年份:2000
[报纸论文] 作者:陈德, 刘凤梅,, 来源:矿物岩石地球化学通报 年份:1999
[报纸论文] 作者:刘昶时, 子群,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1997
采用软X射线激发光电子能增(XPS),观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示;辐照与未辐照非加固Si-SiO2光频电容率在沿Si-SiO2的深度分布上...
[报纸论文] 作者:范启义, 凌国, 郦剑,, 来源:材料科学与工艺 年份:2002
采用化学镀方法在超声波辐照下对10~20nm的Al2O3粉末进行化学镀铜,并探讨了镀液组成及工艺条件对纳米Al2O3粉末化学镀铜的影响,利用X射线衍射判断其成分组成,用TEM观察镀覆结...
[报纸论文] 作者:周光, 雷映, 廖兰, 王廷吉,, 来源:非金属矿 年份:2002
着重阐述了高比表面积SiO2 、纳米SiO2 和介孔SiO2 等新型无定形SiO2 的制备原理、应用领域及研究展望...
[报纸论文] 作者:孙, 王茂祥, 孙彤, 穆志纯,, 来源:电子器件 年份:2000
本文研究了 (Ba1- x Srx) Ti O3系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分、烧结工艺、工作频率等因素对材料的显微结构、介电损耗 D、温度系数α等性能的影响。研究表明 ,Sn O2...
[报纸论文] 作者:滕恩江, 吴国, 胡伟, 魏复盛,, 来源:中国环境监测 年份:1999
为保证四城市PM25和PM10的监测数据准确,具有可比性,本研究规定了滤膜的选择、称量操作步骤的要求和滤膜称量的质控指标。研究结果表明,粗细颗粒物样品的采集和称量操作可行,监测数据准......
[报纸论文] 作者:谢克昌, 明举, 凌大琦,, 来源:燃料化学学报 年份:1990
制备了高灰分含量的年轻烟煤——义马煤和西曲焦煤洗中煤(西曲煤)脱灰前后的焦样。用常温CO2吸附法测定了它们的初始和不同热解转化率下的比表面积。实验发现,矿物质对煤在成焦......
[报纸论文] 作者:刘利, 陈俊英, 马晓建, 方维藩,, 来源:纯碱工业 年份:1998
本文主要以Kenics型静态混合元件对碳酸丙烯酯吸收CO2过程强化进行了研究。考察了不同的操作条件和结构型式对吸收的影响,得出了传质系数与气液雷诺数和吸收效率与气液比的关联式,并对静......
[报纸论文] 作者:张廷庆, 刘家璐, 李建军, 元富,, 来源:半导体学报 年份:1998
本文借助SIMS技术,系统地分析了45keV,1×1014、2×1015和5×1015cm-2BF+2注入单晶硅和80keV、2×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅在快速退火条件下,F在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面,并对F在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和......
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