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[报纸论文] 作者：刘家璐, 杨晓跃, 张廷庆,,
来源：微电子学 年份：1988
用BF2+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF2+注入硅能形成非晶层,在低温（550℃）退火时,注入层以固相外延形式再...
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