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[报纸论文] 作者：刘昶时, 赵子群,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固Si-SiO2光频电容率在沿Si-SiO2的深度分布上...
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