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[报纸论文] 作者：张廷庆, 刘家璐,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
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[报纸论文] 作者：刘家璐, 杨晓跃, 张廷庆,,
来源：微电子学 年份：1988
用BF2+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF2+注入硅能形成非晶层,在低温（550℃）退火时,注入层以固相外延形式再...
[报纸论文] 作者：张廷庆, 刘家璐, 李建军, 赵元富,,
来源：半导体学报 年份：1998
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和......
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