对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方......