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本文阐述了IM-Ⅱ型氢气发生器的优点、工作原理和在半导体制造工艺中的应用。实践表明:该机运转性能良好,制氢纯度高、寿命长、体......
采用Ga在SiO2/Si系扩散途径,对扩Ga硅片进行了俄歇分析,在P型区未发现重金属杂质,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用,而且......
对提高快速晶闸管发射区nc与基区Pb杂质浓度比值Nc/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P型扩散方......