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４分子束外延生长（ＭＢＥ）采用ＭＯＶＰＥ工艺可成功地进行各类Ⅲ族氮化物半导体的生长，但它也有某些不足之处。如由于ＭＯＶＰＥ生长温度较高，因此固相析出反应较快......

由于高亮度蓝光和绿光ＬＥＤ已在很大程度上实现了商用化，因此目前人们对ＧａＮ及其合金的兴趣显显然不仅仅只是好奇而已。......

研制了不同厚度的直径为５－１５μｍ的ＧａＮ光学微盘，并 学微盘的显微荧光图像进行了细致观测和数据值采集。结果表明，在同一个ＧａＮ外延样品上由于厚度......