气相外延生长相关论文
有机半导体具有柔性、轻薄、低成本、分子多样性等优势。通过有机分子结构的简单调控,可以高效地优化有机半导体的光电性质。具有......
GaN基蓝紫光激光器在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域具有广阔的应用前景和巨大的市场需求.世界上第一支GaN......
由于Ⅲ族氮化物材料具有良好的导热性、较小的介电常数以及可以覆盖所有可见光波段发光波长等一系列优点,得到了广大科研工作人员......
该文研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH)为气源物质、以氢气(H)为载气进行GaN半导体MOVPE外延生长时,NH分解率对于GaN半导体外延生长的......
宽禁带GaN基半导体材料由于其独特的物理和化学性质,特别适合制备高温、高频、大功率高性能微波功率器件。GaN基HEMT是目前国际上的......
传统晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件受衬底晶格常数的限制,可选择的外延材料的范围有限,影响了器件光电性能的提高。晶格异变缓......
AlxGa1-xN合金材料的禁带宽度可以在3.43eV~6.04eV之间连续可调,相应的带边辐射波长能够覆盖200~365nm的紫外波段,是实现该波段范围内......
InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质量较小,在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器......
4分子束外延生长(MBE)采用MOVPE工艺可成功地进行各类Ⅲ族氮化物半导体的生长,但它也有某些不足之处。如由于MOVPE生长温度较高,因此固相析出反应较快......
采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(AIxGa1-x)0.51In0.49P外延材料的折射率。实验中测量的反......
用等温汽相外延(ISOVPE)和液相外延(LPE)组合,在用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的CdTe/蓝宝石衬底上生长HgCdTe。用ISOVPE把CdTe......
本文利用原子力显微镜表征硅气相外延生长的白雾片和正常片。实验证明,白雾片是由许多高低起伏很大的颗粒构成的。而正常片的高低起......
用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的InGaAs应变超晶格。用X射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。......