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一硅化镍相关论文
镍硅化物工艺新进展
随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm,传统自对准硅化物材料,如TiSi2和Co—Si2,由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽......
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