自对准硅化物相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技......
在ＳＯＩ材料上采用钴自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钴溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而......
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问......
随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm，传统自对准硅化物材料，如TiSi2和Co—Si2，由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽......
在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄......
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件。为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺......
随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战.......
对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析.结果表明,随着大规模集成电路......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑......
文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述.文中以实际生产为目标,以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性......
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-align......
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属......
金属硅化物在集成电路制造技术中起着非常重要的作用。金属硅化物主要应用在源漏电极和硅栅电极与金属之间的接触。其中自对准硅化......
在半导体制造业中,自对准金属硅化物被广泛应用在源、漏、栅极与金属之间的接触,在大规模和超大规模CMOS逻辑集成电路技术中起着非......
