中间禁带功函数相关论文
制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件，并对其关键工艺进行了详细阐述．相对于双多晶硅栅器件，在不改变阈值电压的前提下，可以减小n......
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对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS......
