亚阈区相关论文
本文采用130 nm MOS工艺,设计了一种简单的CMOS电压基准源.利用基准电流源结构,产生PTAT电流,再通过电流镜技术将此PTAT电流转移到......
提出了一种结构新颖的低失调高精度CMOS带隙基准源.采用交叉耦合技术,降低运放失调和电流镜失配的影响,提高了带隙的精度.仿真结果......
设计了一种低压、低功耗基准电压源电路.该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式,使得电路的输出基准电压与M......
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到......
对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引......
提出了一种基于有源电阻的电阻反馈跨导放大器(RTIA)红外焦平面读出电路,该电路采用工作在亚阈区的MOS管实现1011Ω以上的有源大电......
为满足光伏发电最大功率点跟踪技术对电流比较器响应速度、功耗和比较器精度的要求,提出了一种工作在亚阈区、采用正反馈环电路结......
介绍了一种带隙基准曲率的二阶补偿技术,并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路.它利用了MOS管的亚阈区特性来抵消电路中Vbe(T)展......
带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关.文中分析了MOSFET工作于强反型区与亚阈区的......
采用TSMC0．35μm CMOS工艺，基于对传统带隙基准电路的分析，利用MOS管的亚阈特性，设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源。最后......
本文根据ＭＯＳ器件亚阈区转移性特函数强收敛的特点，提出了一种直接利用ＭＯＳ器件转移特性确定亚阈区表面热的新方法。......
利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温......
随着视频、无线通信、图像等领域相关技术的快速突破,便携式电子设备的发展与流行,高速,高精度,低功耗ADC的设计成为了主要挑战。P......
基于霍尔传感器低功耗的要求，设计一种低功耗、可以放大微弱霍尔电压的放大器。利用MOSFET工作在亚阈区超低功耗特性，设计一种CMOS二......
本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源，采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。......
设计了一种适用于无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片的超低功耗上电复位电路。对上电检测电路输出信号及该信号的延迟信号进行相与......
本文提出了一种应用于数字高速接口电路且采用工作在亚阈值区的pMOS晶体管和两级运放构成的参考基准源。该电路采用0.18um标准CMOS......
通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程，应用费米统计建立了ＭＯＳＦＥＴ亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型，并从器件开启的实质出发，提出了一......
随着半导体工艺技术的快速发展,SiGe HBT(异质结双极性晶体管)以其优异的频率和功率特性以及材料、工艺和价格等方面的优势,在高频......
学位
CMOS器件尺寸的按比例缩小推动数字应用领域不断向前发展,这使得集成电路的制造成本,工作电压,功耗不断降低。纳米工艺进一步推动......
文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源，分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本......
