集成电路技术的发展40多年来一直遵循着摩尔定律,即集成电路的集成度每3年提高约4倍,而特征尺寸缩小约1/2.当特征尺寸减小到0.18μ......

An exact calculation method of local density of states (LDOS) in two-dimensional (2D) photonic crystals (PCs) is present......

研究了在Si（100）衬底上淀积低k薄膜的分层结构中表面波沿Si[i00]和[110]晶向传播的速度一频率色散特性，给出了表面波色散特性的理论推......

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF／a-C：F双层低介电常数介质薄膜，并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构．通过测量介质......

研究了纳米通孔的分布对于表面波方法测量多孔低介电常数薄膜机械特性的影响，提出了用横观各向同性表征周期性多孔介质材料结构特性......

21世纪初，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸将由150nm逐代缩至50nm。文章以100nmULSI器件为主，简要介绍与互连相关的一些材料物理问题......

简要介绍了集成电路铜连线技术及其应用。...

采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,......

研究了使用聚焦离子束（FIB）方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响，发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强......

综述了ULSI互连中纳米多孔二氧化硅(NPS)电介质主要品种干燥凝胶(Xerogel)的典型制造工艺,给出并分析了介电常数、应力、热导率和......