低温晶体管相关论文
建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。由于该模型考虑了载流子费米统计分布、发射区注入和杂质电......
本文主要是对当前我国电子行业中的电子元件的热失效和温度变化规律进行研究,总结了印制电路板制作中的电子元件热设计,并对其设计......
本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺......
1.电流增益温度稳的双极晶体管 机电部二等奖 魏同立、郑茳、吴金。2.YX5151A YX5151B型数字杂音仪 江苏省三等奖 吴廼陵3.打印头......
本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释......
