铁电存储器相关论文
大数据、物联网和人工智能的快速发展对存储芯片、逻辑芯片和其它电子元器件的性能提出了越来越高的要求。本文介绍了HfO2基铁电薄......
随着信息时代的到来,社会对于集成电路领域的各个部件的需求也急速增长。在存储器领域,我国急需一批非易失的高速存储器,而铁电材......
随着可穿戴设备的逐渐兴起,柔性电子器件成为了未来电子器件的发展方向。而ABX3型的钙钛矿材料在许多领域中都占据了极为重要的地......
铁电存储器是一种以铁电材料作为数据载体的非易失性存储器,因其良好的存储性能,在医疗、航空航天等领域一直备受关注。然而,现有......
铁电薄膜因其优越的性能越来越受到大家的关注。利用铁电薄膜制作的电子元器件,工作在辐射环境中时会受到辐照的影响而导致性能下......
随着国家电网各项智能电能表标准的陆续发布和实施，智能电能表即将步人千家万户。作为电能量和一些关键数据的存储，铁电存储器正在发......
本文首先介绍了先进的铁电存储器脉冲式读出机理(pulse-sensing scheme),采用这种读出机理可以减小铁电材料疲劳特性对存储器的影......
FM31256是一种基于IIC总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外，该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数......
本文给出一种基于ARM＋FPGA架构的数字医疗信号处理板卡设计方法,重点描述包括铁电存储器在内的存储系统设计、FPGA与S3C2410接口、......
针对冲击波超压引线测试法中存在的问题,设计了一套基于FPGA的存储测试系统。系统选择ICP传感器并针对此传感器设计了相应的恒流源......
固态技术要点：·晶体管和微处理器进入发展新时代·半导体工业全球增长·微处理器装置ＤＲＡＭ·结构功能增加多媒体指令晶体管尺寸缩小仍无......
采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的......
用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ ......
·研究与开发·用扫描仪测定影像清晰度和模量传递函数………………………… ………………………………朱军,赵省绪,谢海泉,等(1—......
Bi4 Ti3O1 2 是典型的层状钙钛矿结构铁电材料 ,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能 ,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光......
非易失性铁电存储器(FRAM)供应商Ramtron近日发布其亚太区的半导体业务扩展战略,以及持续发展的最新部署。同时,Ramtron还宣布推出......
Ⅰ.专用集成电路设计[1]VLSI电路和系统设计:低功耗、高速集成电路设计方法,嵌入式处理器和DSP,新型电路(混沌、神经元、模糊逻辑......
这些年来，人们对铁电薄膜有着很大的兴趣，这不仅仅是由于其对基础研究的重要性，也是因为铁电材料被广泛地应用于铁电存储器、压电......
电力信号的精确采集和处理是电力系统进行各种继电保护研究、电能质量分析的基础。本文设计了基于DSP的数据采集与处理系统,完成了......
本文在充分研究国标GB/T19056-2003的基础上，针对现有汽车行驶记录仪产品忽视其为事故鉴定提供依据的功能的状况，完成了以下主要工......
针对传统地震数据采集传输系统在实时传输过程中频繁出现的数据丢失问题,设计了基于CY15B104Q的地震数据实时采集传输系统。系统以......
为了适应现代社会对具有优良特性的存储器件的需求,我们急需一种读写速度快的非易失性存储器,而铁电存储器便是一种符合以上需求的......
铁电存储器(FRAM)作为一种新型存储器,它读写速度快、读写次数多、功耗低。这些特点使其应用于各行各业,成为新型存储器中的热门。......
存储器作为集成电路中的重要组成部分,一直是电路设计者研究的重要对象。而随着集成电路的发展以及各种各样的新型技术的不断完善,......
铁电存储器（Fe RAM）是一种以铁电材料作为数据载体的非易失性存储器,因其良好的抗辐射性能,在医疗、航空航天等领域一直备受关注。然......
相比于传统的闪存存储器（Flash）,铁电存储器（FRAM）因其高读写速度、低功耗、高保持特性以及高耐久性,被广泛认为是具有发展前景的一种......
铁电存储器（FeRAM）因具有高速度、高密度、低功耗和抗辐射等特点,在IC卡、移动电话、嵌入式微处理器、航空航天和军事应用等领域显示......
铁电存储器作为一种半导体存储器,具有非易失性、低功耗、读写速度快、抗辐射能力强的优点,它在智能仪表、汽车电子、边缘计算以及......
本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。
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铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储产品的特性......
本文利用浸渍涂敷法在硅基多孔氧化铝模版介质(孔径20 nm~100 nm)上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电纳米结构,并利用扫描透射电......
由于具有非易失、快速存取、低功耗、可无线擦写等特点, FRAM(铁电存储器)在业内素有完美存储器的称号,并已在要求严格的汽车、测......
近日,富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士......
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地......
铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性......
综述了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰＺＴ系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响，分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制，提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善......
0627713产生多相位正弦波的移位寄存器和电阻器〔刊,中〕/Gary Steinbaugh//电子设计技术.—2006,(7).—110-112(C)0627714用“阈......
许多国家在第二次世界大战期间就已经广泛地认识到,经久耐用的、化学上稳定的铁电晶体,将提供一种可作电开关双稳态器件,实现1和0......
新型铁电IC卡已有了适合用作电子货币及其相关应用的产品．这种由MatsushitaElectronics和Mototrola的Indala两家公司联合开发的集成......
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。
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铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。
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