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该院采用了全离子注入技术和一次性热退火工艺试制了Ge—APD。测量结果表明,器件反向击穿电压V[*vB*]在35—50伏。在0.9V[[*vB*]时,......
本文论述了暗电流I和光倍增因子M_p与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M_p-T特性。当温度......