【摘 要】
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本文论述了暗电流I和光倍增因子M_p与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M_p-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10~30倍;而由
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本文论述了暗电流I和光倍增因子M_p与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M_p-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10~30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字M_p将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。
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